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產(chǎn)品
Q1
晶體的頻率驅(qū)動能力不夠或頻率變化不對稱
<A1
11-1.如下圖所示，VCXO電路的電容與驅(qū)動能力呈負(fù)相關(guān)，即電容越小，頻率牽引范圍（FL-Fr）越大，反之亦然。/由于VCXO電路的電容是由壓敏電阻控制的，所以我們可以使用電容值??較小的壓敏電阻或調(diào)節(jié)范圍較寬的壓敏電阻來擴(kuò)大頻率驅(qū)動范圍。
11-2.除了外部電路調(diào)整外，晶體參數(shù)的特性也會影響頻率驅(qū)動范圍。其參考參數(shù)有Trim Sensitivity（TS）、C0/C1（r）、C1、C0等。各參數(shù)與頻率驅(qū)動力的關(guān)系如下：C0↑，C1↑，C0/C1（r）↓，TS↑，驅(qū)動力↑
11-3.如果頻率驅(qū)動范圍不夠，我們還可以調(diào)整晶體的規(guī)格以滿足目標(biāo)范圍。
11-4.當(dāng)由于驅(qū)動范圍不對稱而導(dǎo)致一側(cè)驅(qū)動力不夠而另一側(cè)驅(qū)動力太大時(shí)，我們可以調(diào)整晶振的負(fù)載電容（CL），使其達(dá)到對稱且兩側(cè)驅(qū)動力足夠。
Q2
晶振安裝在PCB上時(shí)
<A2
12-1.根據(jù)圖11-1所示的晶振驅(qū)動力曲線可知，電容值越小，對頻率變化的影響越大。如果頻率分布過寬，請依下列方法處理：增大電容Cd和Cg的值，并采用負(fù)載電容（CL）更大的晶體。Cd和Cg使用更復(fù)雜的電容（電容變化很?。?。使用更精密的晶體（頻率變化不大）。
12-2.此外，如果由于PCB的雜散電容較大而無法改善頻率分布以滿足規(guī)格，則可能需要根據(jù)雜散電容的來源進(jìn)行新的布局。
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